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Descrição
Atributo de produto Valor do atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 2 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 200 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 9.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 4.9 V
Qg - Carga na porta: 19 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 21 W
Modo de canal: Enhancement
Embalagem: Tube
Marca: Infineon Technologies
Tipo de Produto: MOSFET
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