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Características do produto

Características principais

Marca
VOG CENTER
Modelo
Transistor Mosfet Stf18nm80 F18nm80 18nm80 To220 Original

Outras características

Comprimento x Largura
5 mm x 5 mm
Quantidade de transistores
5

Descrição

Esses Power MOSFETs de canal N são desenvolvidos usando a revolucionária tecnologia MDmesh da STMicroelectronics, que associa o processo de drenagem múltipla ao layout horizontal Power MESH da empresa. Esses dispositivos oferecem resistência extremamente baixa, alto dv/dt e excelentes características de avalanche. Utilizando a técnica de strip proprietária da ST, esses Power MOSFETs apresentam um desempenho dinâmico geral que é superior a produtos similares no mercado

Garantia do vendedor: 90 dias

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