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Características do produto

Características principais

Marca
VOG CENTER
Modelo
TARAMPS, STETSOM, USINA, JFA, BANDA Transistor Fet Mosfet abl 850 100v 42A 0,036W Irfp150N Irf p150N Irfp 150N
Tipo de circuito
SMD
Número de peça do dispositivo
1
Série
1
Fabricante
2
Formato de venda
Unidade

Outras características

Comprimento x Largura
5 mm x 5 mm
Voltagem mínima de entrada - Voltagem máxima de entrada
1V - 2V
Voltagem mínima de saída - Voltagem máxima de saída
1V - 2V
Quantidade de transistores
5
Quantidade de pinos
1
Temperatura máxima de operação
1 °C
Temperatura mínima de operação
2 °C

Descrição

Os HEXFETs de quinta geração da International Rectifier utilizam técnicas avançadas de processamento para obter resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a rapidez, velocidade de dependência e o design robusto do dispositivo dos quais os MOSFETs HEXFET Power são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O pacote TO-247 é preferido para aplicações industriais comerciais em níveis de potência mais elevados que impedem o uso de dispositivos TO-220. O TO-247 é semelhante, mas superior ao pacote TO-218 anterior devido à sua ocorrência de montagem isolada.

° Tecnologia de Processo Avançada
° Classificação dv/dt dinâmica
° 175°C Temperatura operacional
° Troca rápida
° Totalmente classificado como Avalanche

Garantia do vendedor: 90 dias

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