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Características do produto

Características principais

Marca
Onsemi
Modelo
FDN359AN
Código do transistor
FDN359AN
Formato de venda
Kit
Unidades por kit
10

Outros

Tipo de encapsulamento
SSOT-3
Voltagem máxima suportada
30V
Polaridade
N-Channel

Descrição

EMITIMOS NF DO PRODUTO

Fabricante: onsemi
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SSOT-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 2.7 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 37 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 1 V
Qg - Carga na porta: 7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 500 mW
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: PowerTrench
Marca: onsemi / Fairchild
Configuração: Single
Tempo de queda: 13 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 9.5 S
Altura: 1.12 mm
Comprimento: 2.9 mm
Produto: MOSFET Small Signal
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 13 ns
Série: FDN359ANSubcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo de retardo de desligamento típico: 15 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 6 ns
Largura: 1.4 mm
Aliases de núm de peça: FDN359AN_NL
Peso unitário: 30 mg

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