Transistor Igbt Dg402rp 430v 40a + Irg71c28u 600v 25a To220
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Características do produto
Características principais
Marca | VOG CENTER |
|---|---|
Modelo | Circuito Integrado Panasonic Transistor Igbt Irg7ic28u G71c28u 7ic28u 71c28u To-220 Dg402 Dg 402 Rp Dg 40 = 2PG006 |
Código do transistor | Dg402rp Irg71c28u |
Formato de venda | Kit |
Unidades por kit | 2 |
Outros
Voltagem máxima suportada | 430V |
|---|---|
Corrente máxima suportada | 40 A |
Potência máxima suportada | 40 W |
É kit | Não |
Descrição
IRG71C28U:
Este IGBT foi projetado especificamente para aplicações em painéis de plasma. Este dispositivo utiliza recursos avançados
tecnologia IGBT de trincheira para obter baixo VCE(on) e baixa classificação EPULSETM por área de silício, o que melhora o painel
eficiência. Recursos adicionais são temperatura de junção operacional de 150°C e alta corrente de pico repetitiva
capacidade. Esses recursos se combinam para tornar este IGBT um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável para PDP
formulários.
Características:
° Tecnologia IGBT de Trincheira Avançada
° Otimizado para Sustentação e Recuperação de Energia
circuitos em aplicações PDP
° Baixo VCE(ligado) e Energia por Pulso (EPULSETM)
para maior eficiência do painel
° Alta capacidade de corrente de pico repetitivo
DG402RP:
Tipo: IGBT
Código de marcação: DG402RP
Tipo de canal IGBT: Canal NPN
Dissipação Máxima de Potência (Pc), W: 40
Tensão máxima coletor-emissor Vce, V: 430
Tensão Máxima Porta-Emissor Vge, V: 30
Corrente Máxima do Coletor Ic @25°C, A: 40
Tensão de saturação coletor-emissor VCE(sat), tipo, V: 1,75
Temperatura máxima de junção (Tj), °C: 150
Tempo de subida (tr), tipo, nS: 400
Capacidade do coletor (Cc), tipo, pF: 130
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