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Características do produto

Características principais

Marca
Original
Código do transistor
4115

Descrição

   Type Designator: IRFB4115
   Type of Transistor: MOSFET
   Type of Control Channel: N -Channel
   Maximum Power Dissipation (Pd): 380 W
   Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 150 V
   Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
   Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 5 V
   Maximum Drain Current |Id|: 104 A
   Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
   Total Gate Charge (Qg): 77 nC
   Rise Time (tr): 73 nS
   Drain-Source Capacitance (Cd): 490 pF
   Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.011 Ohm
   Package: TO220AB

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