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Características do produto

Características principais

Marca
VOG CENTER
Modelo
Transistor Ci Circuito Integrado Novo original To-252 10n60 Dpak Fqu10n60c Fqu
Código do transistor
FQD10N60C

Outros

Tipo de encapsulamento
TO252
Voltagem máxima suportada
1V
Corrente máxima suportada
1 A
Potência máxima suportada
1 W
Polaridade
1

Descrição

Esses transistores de efeito de campo de potência no modo de aprimoramento de canal são produzidos usando a tecnologia DMOS de faixa plana proprietária da Fairchild. Esta tecnologia avançada foi especialmente adaptada para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia Avalanche e modo de comutação. Esses dispositivos são adequados para fontes de alimentação comutadas de alta eficiência, correção de fator de potência ativa, reatores eletrônicos para lâmpadas baseadas na topologia half br

Garantia do vendedor: 90 dias

Perguntas e respostas

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Esse poderia substituir o mosfet smd D6NF10? (100v 6a)Denunciar
Bom dia! Acredito que sim.
14/04/2025Denunciar