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Características do produto

Capacidade: 500 GB

Fator de forma: M.2 2280

Características gerais

Marca
Samsung
Linha
970 EVO Plus
Modelo
MZ-V7S500
Versão
Evo

Outros

Com tecnologia 3D NAND
Sim
Sistemas operativos suportados
Windows

Peso e dimensões

Largura
8,02 cm
Altura
2,21 cm
Profundidade
0,24 cm
Peso
8 g

Capacidade

Capacidade
500 GB
Tipo de armazenamento do disco
SSD
Dados do cache
512 MB

Especificações

Localização do disco rígido e SSD
Interno
Fator de forma do disco rígido e SSD
M.2 2280
Temperatura de operação
0 °C - 70 °C
É gamer
Sim

Segurança

Com sistema de segurança de dados
Sim

Descrição

SDD 970 EVO Plus Samsung 500GB NVMe M.2 2280 Leitura até 3500MB/s Gravação até 3200MB/s - MZ-V7S500B/AM


O SSD Samsung 970 EVO Plus apresenta a mais recente tecnologia V-NAND que ajuda a superar as limitações da arquitetura NAND planar convencional. Além do novo controlador Phoenix que tornou ainda mais rápido as velocidades de leitura e gravação sequenciais.

Com as temperaturas acima do limite o Dynamic Thermal Guard atua com redução automática para proteger seus dados e evitar superaquecimento, mantendo a capacidade de resposta. 

O Software Magician te auxilia a monitorar e gerenciar o ssd, incluindo verificação de firmware personalizada e funções adicionais adaptadas para unidades individuais. Além de atualizar automático o firmware para garantir o desempenho.

O 970 EVO Plus possui mecanismo de criptografia de disco completo baseado em hardware AES de 256 bits que protege seus dados sem alterar o desempenho, sendo compatível com TCG/OPAL V2.0 e IEEE1667.


Características SDD 970 EVO Plus NVMe 500GB M.2 2280 
- Marca: Samsung
- Modelo: MZ-V7S500B/AM


Especificações SDD 970 EVO Plus 500GB NVMe MZ-V7S500B/AM Samsung
- Capacidade: 500GB
- Interface: PCIe Gen 3.0 x 4, NVMe 1.3
- Velocidade de leitura sequencial: Até 3.500 MB/s
- Velocidade de gravação sequencial: Até 3.200 MB/s
- Velocidade de leitura aleatória: Leitura aleatória (4 KB, QD32): até 480.000 IOPS; Leitura aleatória (4KB, QD1): até 19.000 IOPS
- Velocidade de gravação aleatória: Gravação aleatória (4 KB, QD32): até 550.000 IOPS; Gravação aleatória (4 KB, QD1): até 60.000 IOPS 
- Tipo de armazenamento: Interno
- Consumidor: Sim
- Criptografia AES: Criptografia AES de 256 bits (Classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (unidade criptografada)
- Segurança: Criptografia de disco completo AES de 256 bits, TCG/Opal V2.0, unidade criptografada (IEEE1667)
- Aplicativo de uso: PCs clientes
- Flash NAND: Samsung V-NAND MLC de 3 bits
- Controlador: interno
- Memória cache: Samsung DDR4 SDRAM de baixa potência de 512 MB
- Suporte de corte: Suportado
- Suporte SMART: Suportado
- GC (Coleta de Lixo): Algoritmo de Coleta Automática de Lixo
- Suporte ao modo de hibernação do dispositivo: Sim
- Armazenamento interno: Samsung V-NAND MLC de 3 bits
- Prova de temperatura: Sim
- NVMe: Sim
- SSDs para jogos: Sim
- M.2 2280: Sim
- Dimensão (LxAxP): 3,16" x 0,87" x 0,09"
- SW de gerenciamento: Software Magician para gerenciamento de SSD


Em geral
- Consumo médio de energia (nível do sistema): Média: 5,8 W * Máximo: 9 W (modo Burst)
- Consumo de energia (ocioso): máx. 30 mW 
- Tensão: 3,3 V ± 5% Tensão permitida
- Confiabilidade (MTBF): Confiabilidade de 1,5 milhão de horas (MTBF)


Ambientais
- Choque: 1.500 G e 0,5 ms (meio senoidal)

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18 jan. 2024