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Descrição

Os MOSFETs de potência HEXFET avançados da International Rectifier utilizam técnicas de processamento avançadas para obter resistência extremamente baixa por área de silício. Esse benefício, combinado com a rápida velocidade de comutação e o design robusto do dispositivo pelos quais os MOSFETs de potência HEXFET são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.

° Tecnologia de Processo Avançada
° Resistência ultrabaixa
° Classificação dv/dt dinâmica
° 175°C Temperatura operacional
° Troca rápida

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