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Descrição
Esses dispositivos são Power MOSFETs de canal N desenvolvidos usando a segunda geração da tecnologia MDmesh. Este revolucionário Power MOSFET associa uma estrutura vertical ao layout da tira da empresa para produzir uma das menores cargas de resistência e gate do mundo. É, portanto, adequado para os conversores de alta eficiência mais exigentes.
° Baixa capacitância de entrada e carga de porta
° Baixa resistência de entrada do portão
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