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Descrição

O modelo de especiarias anexo descreve o típico elétrico
características do DMOS vertical de canal n. O sub-circuito
o modelo é extraído e otimizado entre -55 e 125°C
faixas de temperatura sob o acionamento de porta pulsado de 0 V a 10 V. O
impedância de saída saturada é melhor ajustada na polarização da porta perto do
tensão de limiar.
Uma nova rede de capacitância de feedback porta-dreno é usada para modelar
as características de carga do portão, evitando dificuldades de convergência
do modelo Cgd comutado. Todos os valores dos parâmetros do modelo são otimizados
para fornecer um melhor ajuste aos dados elétricos medidos e não são
pretende ser uma interpretação física exata do dispositivo.

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