10x Ci Bsc084p03ns3 G Mosfet Canal P 30v 78.6a Optimos Smd
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CaracterĂsticas do produto
CaracterĂsticas principais
Marca | Infineon |
---|---|
Modelo | BSC084P03NS3 G |
Tipo de circuito | Mosfet |
NĂșmero de peça do dispositivo | BSC084P03NS3 G |
Série | OptiMOS P3 |
Fabricante | Infineon |
Formato de venda | Kit |
Unidades por kit | 10 |
Outros
Comprimento x Largura | 5.9 mm x 5.15 mm |
---|---|
Quantidade de transistores | 10 |
Quantidade de pinos | 8 |
Temperatura måxima de operação | 150 °C |
Descrição
EMITIMOS NOTA FISCAL DO PRODUTO
Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TDSON-8
Polaridade do transistor: P-Channel
NĂșmero de canais: 1 Channel
Vds - TensĂŁo de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contĂnua: 78.6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistĂȘncia: 6.1 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
TensĂŁo de limite porta e fonte: 3.1 V
Qg - Carga na porta: 57.7 nC
Temperatura operacional mĂnima: - 55 C
Temperatura operacional mĂĄxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potĂȘncia: 69 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS P3
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 8 ns
TranscondutĂąncia em avanço - MĂn: 33 S
Altura: 1.27 mm
Comprimento: 5.9 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensĂŁo: 134 ns
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