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CaracterĂ­sticas do produto

CaracterĂ­sticas principais

Marca
Infineon
Modelo
BSC084P03NS3 G
Tipo de circuito
Mosfet
NĂșmero de peça do dispositivo
BSC084P03NS3 G
Série
OptiMOS P3
Fabricante
Infineon
Formato de venda
Kit
Unidades por kit
10

Outros

Comprimento x Largura
5.9 mm x 5.15 mm
Quantidade de transistores
10
Quantidade de pinos
8
Temperatura måxima de operação
150 °C

Descrição

EMITIMOS NOTA FISCAL DO PRODUTO

Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TDSON-8
Polaridade do transistor: P-Channel
NĂșmero de canais: 1 Channel
Vds - TensĂŁo de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contĂ­nua: 78.6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistĂȘncia: 6.1 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
TensĂŁo de limite porta e fonte: 3.1 V
Qg - Carga na porta: 57.7 nC
Temperatura operacional mĂ­nima: - 55 C
Temperatura operacional mĂĄxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potĂȘncia: 69 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS P3
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 8 ns
Transcondutùncia em avanço - Mín: 33 S
Altura: 1.27 mm
Comprimento: 5.9 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensĂŁo: 134 ns

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