Transistor Rjp30e2-918-830 Igbt Grande

Descrição

Transistor RJP30E2-918-830 IGBT 
 
Itens Inclusos:
01x  Transistor RJP30E2-918-830 IGBT 
 
Descrição:
O Transistor RJP30E2-918-830 é um dispositivo eletrônico de potência projetado para aplicações que requerem alta capacidade de comutação e controle eficiente de corrente. Com sua construção robusta e recursos avançados, é adequado para uma ampla variedade de aplicações industriais, como fontes de alimentação, inversores de frequência, sistemas de controle de motor e muito mais.
Além disso, o transistor RJP30E2-918-830 pode apresentar recursos adicionais, como proteção contra sobrecorrente e temperatura excessiva, dependendo da versão específica do dispositivo. Isso contribui para a segurança e a longevidade do sistema em que é aplicado. Sua faixa de temperatura de operação ampla garante que o transistor possa funcionar adequadamente em diferentes condições ambientais, proporcionando estabilidade e confiabilidade.
O Transistor RJP30E2-918-830 é uma escolha confiável para projetos que exigem controle preciso e eficiente de potência. Com suas características elétricas avançadas e desempenho confiável, é capaz de fornecer resultados excepcionais em diversos sistemas eletrônicos de potência.
 
Ficha Tecnica :
 
• Tipo de dispositivo: Transistor MOSFET de potência
• Encapsulamento: TO-220
• Tensão máxima de dreno-fonte (VDS): 600V
• Corrente contínua máxima de dreno (ID): 30A
• Resistência de dreno-fonte (RDS(on)): 0,18 ohms (máx.) a 25°C
• Tensão máxima de gate-fonte (VGS): ±30V
• Corrente máxima de gate (IG): ±25A
• Capacidade de dissipação de potência (PD): 125W
• Faixa de temperatura de operação: -55°C a +150°C 
 
É importante observar que as especificações exatas podem variar dependendo da versão específica do transistor ou do fabricante. Para obter informações detalhadas e precisas, recomendo consultar a ficha técnica fornecida pelo fabricante ou entrar em contato diretamente com o fabricante do componente.
Garantia:
 
Nossos produtos, além de serem analisados por nosso setor de qualidade, possuem três meses de garantia, cobrindo qualquer tipo de defeito de fabricação que possa ocorrer com o seu produto.
 
 
TODOS OS NOSSOS COMPONENTES SÃO TESTADOS EM BANCADA. Os IGBTs, em especial, são submetidos a quatro testes:
• Teste dos Diodos
• Teste de Capacitância Gate-Source
• Teste de Isolação Coletor-Emissor
• Teste de Detecção de Curtos
 
PEDIMOS QUE A INSTALAÇÃO/SUBSTITUIÇÃO SEJA FEITA POR UM TÉCNICO ESPECIALIZADO
Assegure-se de que as condições de instalação sejam adequadas às especificações do Módulo IGBT.
Revise também o circuito de disparos (comutação) do placa do equipamento. Caso haja defeito nos gates, isso pode levar a uma queima do novo módulo.