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Características do produto

Características principais

Marca
Original
Modelo
TO220
Código do transistor
IRF540N
Formato de venda
Unidade

Outros

Tipo de encapsulamento
TO220
Voltagem máxima suportada
100V
Corrente máxima suportada
30 A
Potência máxima suportada
1 W
Polaridade
NPN
É kit
Não

Descrição

   Type Designator: IRF540N
   Type of Transistor: MOSFET
   Type of Control Channel: N -Channel
   Maximum Power Dissipation (Pd): 130 W
   Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
   Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
   Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
   Maximum Drain Current |Id|: 33 A
   Maximum Junction Temperature (Tj): 175 °C
   Total Gate Charge (Qg): 71(max) nC
   Rise Time (tr): 35 nS
   Drain-Source Capacitance (Cd): 250 pF
   Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.044 Ohm
   Package: TO220AB

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