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Memória Kingston De 16gb Dimm Ddr4 2666mhz
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Características do produto
Capacidade total: 16 GB
Velocidade: 2666 MHz
Aplicação: Computadores de mesa
Tecnologia: DDR4
Formato: UDIMM
Características gerais
| Marca | Kingston |
|---|---|
| Linha | ValueRAM |
| Modelo | KVR26N19S8/16 |
| Módulos de memória | 1 x 16 GB |
| Capacidade total | 16 GB |
Compatibilidade
| Aplicação | Computadores de mesa |
|---|
Especificações
| Tecnologia da memória | DDR4 |
|---|---|
| Formato | UDIMM |
| Velocidade | 2666 MHz |
Outros
| Quantidade de pinos | 288 |
|---|---|
| Taxa de transmissão | 21300 MB/s |
| Latência CAS | 19 |
| Voltagem de alimentação | 1.2V |
Descrição
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18529 - Memória Kingston de 16GB DIMM DDR4 2666Mhz
Descrição
16GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 DIMM 1Rx8
16GB Module - DDR4 2666MHz
Código do Produto: KVR26N19S8/16
Especificações: DDR4, 2666MHz, Non-ECC, CL19, 1.2V, Unbuffered, DIMM, 1R, 16Gbit
Descrição:
O KVR26N19S8/16 da Kingston é um módulo de memória DDR4-2666 2G x 64 bits (16GB)CL19 SDRAM (DRAM síncrona), 1Rx8,com base em oito componentes FBGA 2G x 8bits. O SPD éprogramado para latência padrão JEDEC DDR4-2666 tempo de19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos utiliza contatos de ouro.
Recursos:
Fonte de alimentação: VDD = 1,2 V típica
VDDQ = 1,2 V típico
VPP = 2,5 V típico
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para
dados, strobe e sinais de máscara
Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ na matriz
Single-rank
EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD)
16bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8
através do conjunto de registro de modo (MRS)
Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF)
Topologia fly-by
Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 (31,25 mm)
Compatível com RoHS e livre de halogênio
Especificações:
CL (IDD): 19 ciclos
Tempo de ciclo de linha (tRCmin): 45,75ns (min.)
Tempo de comando de refresh (tRFCmin): 350ns (min.)
Tempo de linha ativa (tRASmin): 32ns (min.)
Classificação UL: 94 V-0
Temperatura de operação: 0C a +85C
Temperatura de armazenamento: -55C a +100C.
Imagens meramente ilustrativas
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