ACHEI COMPONENTES
+100 Seguidores
+10mil Produtos
+1000
Vendas concluídas
Oferece um bom atendimento
Entrega os produtos dentro do prazo
Características do produto
Características principais
Marca | Infineon |
|---|---|
Código do transistor | GP50B60PD1 - IRGP50B60PD1 - 50B60PD1 - IRGP 50B60PD1 PBF - 50B60 - IRGP50B60 |
Descrição
Transistor IGBT IRGP50B60PD1PBF
Partnumber:IRGP50B60PD1PBF
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto:Transistores IGBT
RoHS: Detalhes
Tecnologia:Si
Embalagem / Caixa:TO-247-3
Estilo de montagem:Através do orifício
Configuração:Single
Coletor - Tensão do Emissor VCEO Máx .:600 V
Tensão de saturação do coletor-emissor:2,35 V
Tensão máxima do emissor da porta:20 V
Corrente de coletor contínua a 25 C:75 A
Pd - Dissipação de energia:390 W
Temperatura mínima de operação:- 55 C
Embalagem:Tubo
Altura:20,7 mm
Comprimento:15,87 mm
Largura:5,31 mm
Marca:Infineon / IR
Tipo de Produto:Transistores IGBT
Quantidade do pacote de fábrica:400
Subcategoria:IGBTs
Datasheet:
* 1 Unidade selecionada refere-se a 1 peça do Transistor.
* Despacho do material no próximo dia útil após a compra.
* Todos materiais anunciados em estoque, a pronta entrega.
Tags:GP50B60PD1 -IRGP50B60PD1 - 50B60PD1 -IRGP 50B60PD1 PBF - 50B60 - IRGP50B60
Perguntas e respostas
Não fizeram nenhuma pergunta ainda.
Faça a primeira!